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大直徑碳化硅晶體生長(zhǎng)工藝及設(shè)備-工藝、、技術(shù)轉(zhuǎn)讓: 碳化硅(SiC)具有禁帶寬、臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子飽和漂移速度高、熱導(dǎo)率高、以及耐高溫、抗輻照和耐腐蝕等特點(diǎn)，是制造高性能電力電子器件、大功率固體微波器件和固體等新型器件和耐高溫集成電路的優(yōu)選材料，也是氮化鎵白光LED和氮化鎵微波功率器件理想的襯底材料。 本項(xiàng)目研究人工生長(zhǎng)大直徑碳化硅單晶體的基本問(wèn)題，開發(fā)適合于器件制造的優(yōu)質(zhì)碳化硅單晶的生長(zhǎng)工藝與設(shè)備，形成一定的設(shè)備及晶體生產(chǎn)能力。目前，該項(xiàng)目組使用自行研制、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的TDL16型生長(zhǎng)設(shè)備和晶體生長(zhǎng)工藝，已能制備直徑58mm以內(nèi)、長(zhǎng)度15mm以內(nèi)的6H-SiC體單晶；可以制備更大尺寸的4英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備已進(jìn)入安裝、調(diào)試階段。