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高純鋁及稀土鈰、釓靶材壓力加工工藝研究-:摘要：濺射法是制備薄膜材料的主要技術之一,靶材是濺射沉積薄膜的源材料。高純鋁靶材主要運用于半導體芯片、平板顯示器產業;稀土Gd和Ce靶材主要用于磁記錄和光記錄產業。靶材產品質量要求嚴格,主要應滿足以下要求:雜質含量低,純度高;高致密度;成分與組織結構均勻;晶粒尺寸細小。 高純鋁靶材主要要求晶粒度200μm~300μm,晶粒取向以(100)面織構為主;而稀土靶材主要要求為高致密度。本論文圍繞滿足上述的要求開展了對于高純鋁和稀土金屬的相關實驗和研究。 高純鋁采用冷軋和熱鍛的方式進行了壓力加工成型,采用恒溫鹽浴進行再結晶退火,退火后的試樣在Axiover 25蔡司金相顯微鏡下進行微觀組織觀察。通過一系列退火對照實驗和微觀組織觀察,確定了的壓力加工和再結晶退火工藝為:冷軋40%壓下量下,退火。